EBV法制备Znln_2S_4薄膜的性质研究
文献类型:期刊论文
作者 | 张瑞峰 ; 李兴林 ; 于亚莉 ; 王给祥 |
刊名 | 太阳能学报
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出版日期 | 1994 |
卷号 | 15期号:2页码:142-146 |
关键词 | 电子束蒸发法 ZnIn_2S_4薄膜 电子能谱 Znln2S4-Si电池 |
ISSN号 | 0254-0096 |
中文摘要 | 用电子束加热真空蒸发法(EBV法)制备了厚度为350nm的ZnIn2S4薄膜。研究了最佳成膜工艺条件和最新电子能谱分析结果;通过不同气氛处理可以控制材料的导电类型,典型膜的电阻率为2.5×10-1Ω·cm,Hall迁移率为52cm2·V-1·s-1,载流子浓度为1.42×1017cm-3,禁带宽度为2.13eV。探讨了ZnIn2S4膜的导电机理,并制作了ZnIn2S4-Si太阳电池。 |
收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-12-30 ; 2011-06-10 |
源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/28287] ![]() |
专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 张瑞峰,李兴林,于亚莉,等. EBV法制备Znln_2S_4薄膜的性质研究[J]. 太阳能学报,1994,15(2):142-146. |
APA | 张瑞峰,李兴林,于亚莉,&王给祥.(1994).EBV法制备Znln_2S_4薄膜的性质研究.太阳能学报,15(2),142-146. |
MLA | 张瑞峰,et al."EBV法制备Znln_2S_4薄膜的性质研究".太阳能学报 15.2(1994):142-146. |
入库方式: OAI收割
来源:长春应用化学研究所
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