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EBV法制备Znln_2S_4薄膜的性质研究

文献类型:期刊论文

作者张瑞峰 ; 李兴林 ; 于亚莉 ; 王给祥
刊名太阳能学报
出版日期1994
卷号15期号:2页码:142-146
关键词电子束蒸发法 ZnIn_2S_4薄膜 电子能谱 Znln2S4-Si电池
ISSN号0254-0096
中文摘要用电子束加热真空蒸发法(EBV法)制备了厚度为350nm的ZnIn2S4薄膜。研究了最佳成膜工艺条件和最新电子能谱分析结果;通过不同气氛处理可以控制材料的导电类型,典型膜的电阻率为2.5×10-1Ω·cm,Hall迁移率为52cm2·V-1·s-1,载流子浓度为1.42×1017cm-3,禁带宽度为2.13eV。探讨了ZnIn2S4膜的导电机理,并制作了ZnIn2S4-Si太阳电池。
收录类别CSCD收录国内期刊论文
语种中文
公开日期2010-12-30 ; 2011-06-10
源URL[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/28287]  
专题长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
张瑞峰,李兴林,于亚莉,等. EBV法制备Znln_2S_4薄膜的性质研究[J]. 太阳能学报,1994,15(2):142-146.
APA 张瑞峰,李兴林,于亚莉,&王给祥.(1994).EBV法制备Znln_2S_4薄膜的性质研究.太阳能学报,15(2),142-146.
MLA 张瑞峰,et al."EBV法制备Znln_2S_4薄膜的性质研究".太阳能学报 15.2(1994):142-146.

入库方式: OAI收割

来源:长春应用化学研究所

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