以Nafion修饰的镀铂玻碳电极为基底的半乳糖传感器的制备
文献类型：期刊论文
| 作者 | 纪学锋 ; 章咏华 |
| 刊名 | 分析化学
 |
| 出版日期 | 1993 |
| 卷号 | 21期号:5页码:519-522 |
| 关键词 | Nafion 半乳糖氧化酶 电流式传感器 |
| ISSN号 | 0253-3820 |
| 通讯作者 | 章咏华 |
| 中文摘要 | 在镀铂的玻碳电极表面,修饰一层全氟代磺酸酯(Nafion)膜,制成基底电极。用化学交联法将半乳糖氧化酶(GAD)固定在基底电极表面,即制成半乳糖传感器。和光亮铂相比,镀铂电极对过氧化氢有更高的响应,而Nafion膜可以消除抗坏血酸,尿酸等电活性物质对测定的影响,提高了酶电极测定的选择性。D-半乳糖测定的线性范围为0.25～4.25 mmol/L,响应时间小于30s。电极连续使用300次,没有明显的电流变化。该电极具有快速、准确,选择性高的特点。 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-01-19 ; 2011-06-10 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/36499]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 纪学锋,章咏华. 以Nafion修饰的镀铂玻碳电极为基底的半乳糖传感器的制备[J]. 分析化学,1993,21(5):519-522. |
| APA | 纪学锋,&章咏华.(1993).以Nafion修饰的镀铂玻碳电极为基底的半乳糖传感器的制备.分析化学,21(5),519-522. |
| MLA | 纪学锋,et al."以Nafion修饰的镀铂玻碳电极为基底的半乳糖传感器的制备".分析化学 21.5(1993):519-522. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。