十六烷基三辛基铵静电吸附氯金酸的Langmiur-Blodgett膜及其修饰聚氯乙烯液膜金离子选择性电极的研究
文献类型:期刊论文
作者 | 吴金兰 ; 郭渡 ; 章咏华 ; 王新平 |
刊名 | 分析化学
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出版日期 | 1993 |
卷号 | 21期号:10页码:1131-1134 |
关键词 | Langmuuir-Boldgett膜 液膜 选择性电极 氯金酸 |
ISSN号 | 0253-3820 |
通讯作者 | 吴金兰 |
中文摘要 | 首次尝试用Langmiur-Blodgett(LB)技术修饰PVC液膜离子选择性电极,在PVC液膜表面上制得十六烷基三辛基铵-氯金酸LB膜,明显改善了PVC液膜金离子选择性电极的某些工作性能。电极线性响应范围为1×10~(-2)~1×10~(-7)mol/L,对常见的9种阳离子和4种阴离子的干扰能力明显的增强,响应速度也有所提高。若能改进挂膜方式,可望进一步改善有关性能。 |
收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2011-01-19 ; 2011-06-10 |
源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/36549] ![]() |
专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴金兰,郭渡,章咏华,等. 十六烷基三辛基铵静电吸附氯金酸的Langmiur-Blodgett膜及其修饰聚氯乙烯液膜金离子选择性电极的研究[J]. 分析化学,1993,21(10):1131-1134. |
APA | 吴金兰,郭渡,章咏华,&王新平.(1993).十六烷基三辛基铵静电吸附氯金酸的Langmiur-Blodgett膜及其修饰聚氯乙烯液膜金离子选择性电极的研究.分析化学,21(10),1131-1134. |
MLA | 吴金兰,et al."十六烷基三辛基铵静电吸附氯金酸的Langmiur-Blodgett膜及其修饰聚氯乙烯液膜金离子选择性电极的研究".分析化学 21.10(1993):1131-1134. |
入库方式: OAI收割
来源:长春应用化学研究所
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