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十六烷基三辛基铵静电吸附氯金酸的Langmiur-Blodgett膜及其修饰聚氯乙烯液膜金离子选择性电极的研究

文献类型:期刊论文

作者吴金兰 ; 郭渡 ; 章咏华 ; 王新平
刊名分析化学
出版日期1993
卷号21期号:10页码:1131-1134
关键词Langmuuir-Boldgett膜 液膜 选择性电极 氯金酸
ISSN号0253-3820
通讯作者吴金兰
中文摘要首次尝试用Langmiur-Blodgett(LB)技术修饰PVC液膜离子选择性电极,在PVC液膜表面上制得十六烷基三辛基铵-氯金酸LB膜,明显改善了PVC液膜金离子选择性电极的某些工作性能。电极线性响应范围为1×10~(-2)~1×10~(-7)mol/L,对常见的9种阳离子和4种阴离子的干扰能力明显的增强,响应速度也有所提高。若能改进挂膜方式,可望进一步改善有关性能。
收录类别CSCD收录国内期刊论文
语种中文
公开日期2011-01-19 ; 2011-06-10
源URL[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/36549]  
专题长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
吴金兰,郭渡,章咏华,等. 十六烷基三辛基铵静电吸附氯金酸的Langmiur-Blodgett膜及其修饰聚氯乙烯液膜金离子选择性电极的研究[J]. 分析化学,1993,21(10):1131-1134.
APA 吴金兰,郭渡,章咏华,&王新平.(1993).十六烷基三辛基铵静电吸附氯金酸的Langmiur-Blodgett膜及其修饰聚氯乙烯液膜金离子选择性电极的研究.分析化学,21(10),1131-1134.
MLA 吴金兰,et al."十六烷基三辛基铵静电吸附氯金酸的Langmiur-Blodgett膜及其修饰聚氯乙烯液膜金离子选择性电极的研究".分析化学 21.10(1993):1131-1134.

入库方式: OAI收割

来源:长春应用化学研究所

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