铝电解电容器铝箔腐蚀工艺的进展及有关的电化学问题
文献类型：期刊论文
| 作者 | 沈行素 ; 单义斌 |
| 刊名 | 电子元件与材料
 |
| 出版日期 | 1993 |
| 卷号 | 12期号:2页码:10-17 |
| 关键词 | 铝电解电容器 铝箔腐蚀 电解腐蚀 |
| ISSN号 | 1001-2028 |
| 中文摘要 | 介绍了日本1970年以来低压和中高压腐蚀箔静电容量增长历程以及1991年达到的水平。根据近十余年来国内外发表的有关文献,从电化学角度出发对直流电和交流电腐蚀机理进行分析、探讨。认为提高腐蚀开始时的发孔密度是提高腐蚀箔比容值的关键。讨论了提高发孔密度的一些影响因素。 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-01-19 ; 2011-06-10 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/36829]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沈行素,单义斌. 铝电解电容器铝箔腐蚀工艺的进展及有关的电化学问题[J]. 电子元件与材料,1993,12(2):10-17. |
| APA | 沈行素,&单义斌.(1993).铝电解电容器铝箔腐蚀工艺的进展及有关的电化学问题.电子元件与材料,12(2),10-17. |
| MLA | 沈行素,et al."铝电解电容器铝箔腐蚀工艺的进展及有关的电化学问题".电子元件与材料 12.2(1993):10-17. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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