掺Sb、Sn和Cd的In_2O_3的电性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 文世杰 ; G.Campet ; J.Portier ; 洪广言 |
| 刊名 | 功能材料
 |
| 出版日期 | 1993 |
| 卷号 | 24期号:4页码:381-384 |
| 关键词 | 掺杂 In_2O_3 电导率 |
| ISSN号 | 1001-9731 |
| 通讯作者 | 洪广言 |
| 中文摘要 | 本文研究了掺杂Sb、S_n及Cd的In_2O_3的电性质,并与纯的In_2O_3进行比较,得到一些有意义的结果。IO的电导率及载流子浓度主要由氧缺位所致;ITO和ISO的电导率和载流子浓度,主要由掺杂元素所致;掺Sn的电导率、载流子浓度和迁移率高于掺Sb,其原因在于在同样掺杂浓度的条件下,ITO中的中性杂质浓度低于ISO及掺Sn后使电子离域程度增大。在掺Cd浓度高时,随着Cd浓度增加,电导率和载流子浓度均降低。 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-01-19 ; 2011-06-10 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/36955]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 文世杰,G.Campet,J.Portier,等. 掺Sb、Sn和Cd的In_2O_3的电性研究[J]. 功能材料,1993,24(4):381-384. |
| APA | 文世杰,G.Campet,J.Portier,&洪广言.(1993).掺Sb、Sn和Cd的In_2O_3的电性研究.功能材料,24(4),381-384. |
| MLA | 文世杰,et al."掺Sb、Sn和Cd的In_2O_3的电性研究".功能材料 24.4(1993):381-384. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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