Electron mobility of inverted InAs/GaSb quantum well structure
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wenjun Huang; Wenquan Ma; Jianliang Huang; Yanhua Zhang; Yulian Cao; Chengcheng Zhao; Xiaolu Guo |
| 刊名 | Solid State Communications
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| 出版日期 | 2017 |
| 卷号 | 267页码:29-32 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2018-05-23 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28315]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wenjun Huang,Wenquan Ma,Jianliang Huang,et al. Electron mobility of inverted InAs/GaSb quantum well structure[J]. Solid State Communications,2017,267:29-32. |
| APA | Wenjun Huang.,Wenquan Ma.,Jianliang Huang.,Yanhua Zhang.,Yulian Cao.,...&Xiaolu Guo.(2017).Electron mobility of inverted InAs/GaSb quantum well structure.Solid State Communications,267,29-32. |
| MLA | Wenjun Huang,et al."Electron mobility of inverted InAs/GaSb quantum well structure".Solid State Communications 267(2017):29-32. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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