Effect of nanohole size on selective area growth of InAs nanowire arrays on Si substrates
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xiaoye Wang; Wenyuan Yang; Baojun Wang; Xianghai Ji; Shengyong Xu; Wei Wang; Qing Chen; Tao Yang |
| 刊名 | Journal of Crystal Growth
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| 出版日期 | 2017 |
| 卷号 | 460页码:1-4 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2018-05-30 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28423]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xiaoye Wang,Wenyuan Yang,Baojun Wang,et al. Effect of nanohole size on selective area growth of InAs nanowire arrays on Si substrates[J]. Journal of Crystal Growth,2017,460:1-4. |
| APA | Xiaoye Wang.,Wenyuan Yang.,Baojun Wang.,Xianghai Ji.,Shengyong Xu.,...&Tao Yang.(2017).Effect of nanohole size on selective area growth of InAs nanowire arrays on Si substrates.Journal of Crystal Growth,460,1-4. |
| MLA | Xiaoye Wang,et al."Effect of nanohole size on selective area growth of InAs nanowire arrays on Si substrates".Journal of Crystal Growth 460(2017):1-4. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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