基于莫尔条纹的光刻对准方法
文献类型：会议论文
| 作者 | 杜聚有; 戴凤钊; 王向朝 |
| 出版日期 | 2016 |
| 中文摘要 | 1.引言套刻精度是光刻机的关键性能指标之一,对准重复精度是实现套刻精度的前提。目前1×nm工艺节点集成电路已经量产,其对应套刻精度为2.5nm,对准重复精度达到了亚纳米量级。随着集成电路向10nm及以下工艺节点发展,对套刻精度和对准重复精度提出了更高的要求。目前国际上高端投影光刻机采用的主流对准技术主要是场像对准FIA技术和SMASH技术等。但目前这两种对准技术还存在一定的缺陷,主要表现为: |
| 会议录 | 第十六届全国光学测试学术交流会摘要集
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| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.siom.ac.cn/handle/181231/27467]  |
| 专题 | 上海光学精密机械研究所_信息光学与光电技术实验室 |
| 作者单位 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杜聚有,戴凤钊,王向朝. 基于莫尔条纹的光刻对准方法[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：上海光学精密机械研究所
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