电子束法沉积ZnIn_2Se_4膜的结构与XPS表征
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张瑞峰 ; 于亚莉 ; 孙玉茹 ; 李文范 |
| 刊名 | 真空科学与技术
 |
| 出版日期 | 1992 |
| 卷号 | 12期号:1页码:32-36 |
| ISSN号 | 1672-7126 |
| 中文摘要 | 研究了电子束法沉积ZnIn_2Se_4薄膜的工艺条件,所得致密、均匀膜的导电类型可以通过不同气氛处理得到控制。该膜的最佳参数为:电阻率ρ为2.35×10~(-1)Ω·cm,Hall迁移率μ_H为106cm~2·V~(-1)·S~(-1),载流子浓度N是1.51×10~(17)cm~(-3),禁带宽度E_(?)为2.23eV。采用XPS技术研究了膜的组成、结构、价态。 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-01-19 ; 2011-06-10 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/37797]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张瑞峰,于亚莉,孙玉茹,等. 电子束法沉积ZnIn_2Se_4膜的结构与XPS表征[J]. 真空科学与技术,1992,12(1):32-36. |
| APA | 张瑞峰,于亚莉,孙玉茹,&李文范.(1992).电子束法沉积ZnIn_2Se_4膜的结构与XPS表征.真空科学与技术,12(1),32-36. |
| MLA | 张瑞峰,et al."电子束法沉积ZnIn_2Se_4膜的结构与XPS表征".真空科学与技术 12.1(1992):32-36. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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