Rapid Transition of the Hole Rashba Effect from Strong Field Dependence to Saturation in Semiconductor Nanowires
文献类型：期刊论文
| 作者 | Jun-Wei Luo; Shu-Shen Li; Zunger, Alex |
| 刊名 | Physical Review Letters
 |
| 出版日期 | 2017 |
| 卷号 | 119期号:12页码:1 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 公开日期 | 2018-06-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28569]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Jun-Wei Luo,Shu-Shen Li,Zunger, Alex. Rapid Transition of the Hole Rashba Effect from Strong Field Dependence to Saturation in Semiconductor Nanowires[J]. Physical Review Letters,2017,119(12):1. |
| APA | Jun-Wei Luo,Shu-Shen Li,&Zunger, Alex.(2017).Rapid Transition of the Hole Rashba Effect from Strong Field Dependence to Saturation in Semiconductor Nanowires.Physical Review Letters,119(12),1. |
| MLA | Jun-Wei Luo,et al."Rapid Transition of the Hole Rashba Effect from Strong Field Dependence to Saturation in Semiconductor Nanowires".Physical Review Letters 119.12(2017):1. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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