Quantum confinement modulation on the performance of nanometer thin body GaSb/InAs tunnel field-effect transistors
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhi Wang; Liwei Wang; Yunfei En; Xiang-Wei Jiang |
| 刊名 | Journal of Applied Physics
 |
| 出版日期 | 2017 |
| 卷号 | 121期号:22页码:1-5 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 公开日期 | 2018-06-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28576]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhi Wang,Liwei Wang,Yunfei En,et al. Quantum confinement modulation on the performance of nanometer thin body GaSb/InAs tunnel field-effect transistors[J]. Journal of Applied Physics,2017,121(22):1-5. |
| APA | Zhi Wang,Liwei Wang,Yunfei En,&Xiang-Wei Jiang.(2017).Quantum confinement modulation on the performance of nanometer thin body GaSb/InAs tunnel field-effect transistors.Journal of Applied Physics,121(22),1-5. |
| MLA | Zhi Wang,et al."Quantum confinement modulation on the performance of nanometer thin body GaSb/InAs tunnel field-effect transistors".Journal of Applied Physics 121.22(2017):1-5. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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