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多晶Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜电极 多硫氧化还原电对溶液的界面现象研究

文献类型:期刊论文

作者李军 ; 谭正 ; 糜天英 ; 孙公权
刊名化学学报
出版日期1992
卷号50期号:8页码:752-755
关键词汞镉碲 界面科学 光电化学
ISSN号0567-7351
通讯作者谭正
中文摘要测量了系列(1-x)值的电沉积多晶Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜电极在多硫氧化还原电对溶液中的交流阻抗和光电流光谱,据此确定出不同(1-x)值时的平带电位Φ(?)和禁带宽度E(?).当(1-x)值增大时,平带电位正移,禁带宽度E(?)变小,导带位置下降(负移),价带位置基本保持不变.系列Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜电极在多硫溶液中的开路光电压比由平带电位Φ_(fb)推算出的极限开路光电压低,因此存在着提高实际开路光电压的潜力.
收录类别CSCD收录国内期刊论文
语种中文
公开日期2011-01-19 ; 2011-06-10
源URL[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/37995]  
专题长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
李军,谭正,糜天英,等. 多晶Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜电极 多硫氧化还原电对溶液的界面现象研究[J]. 化学学报,1992,50(8):752-755.
APA 李军,谭正,糜天英,&孙公权.(1992).多晶Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜电极 多硫氧化还原电对溶液的界面现象研究.化学学报,50(8),752-755.
MLA 李军,et al."多晶Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜电极 多硫氧化还原电对溶液的界面现象研究".化学学报 50.8(1992):752-755.

入库方式: OAI收割

来源:长春应用化学研究所

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