Fabrication and characterization of high lattice matched InAs/InAsSb superlattice infrared photodetector
文献类型：期刊论文
| 作者 | Ruiting Hao; Yang Ren; Sijia Liu; Jie Guo; Guowei Wang; Yingqiang Xu; Zhichuan Niu |
| 刊名 | Journal of Crystal Growth
 |
| 出版日期 | 2017 |
| 卷号 | 470页码:33–36 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 公开日期 | 2018-06-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28611]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ruiting Hao,Yang Ren,Sijia Liu,et al. Fabrication and characterization of high lattice matched InAs/InAsSb superlattice infrared photodetector[J]. Journal of Crystal Growth,2017,470:33–36. |
| APA | Ruiting Hao.,Yang Ren.,Sijia Liu.,Jie Guo.,Guowei Wang.,...&Zhichuan Niu.(2017).Fabrication and characterization of high lattice matched InAs/InAsSb superlattice infrared photodetector.Journal of Crystal Growth,470,33–36. |
| MLA | Ruiting Hao,et al."Fabrication and characterization of high lattice matched InAs/InAsSb superlattice infrared photodetector".Journal of Crystal Growth 470(2017):33–36. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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