Modal gain characteristics of a 2 μm InGaSb/AlGaAsSb passively mode-locked quantum well laser
文献类型：期刊论文
| 作者 | Xiang Li; Hong Wang; Zhongliang Qiao; Xin Guo; Geok Ing Ng; Yu Zhang; Zhichuan Niu; Cunzhu Tong; Chongyang Liu |
| 刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS
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| 出版日期 | 2017 |
| 卷号 | 111期号:25页码:251105 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 公开日期 | 2018-06-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28612]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Xiang Li,Hong Wang,Zhongliang Qiao,et al. Modal gain characteristics of a 2 μm InGaSb/AlGaAsSb passively mode-locked quantum well laser[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2017,111(25):251105. |
| APA | Xiang Li.,Hong Wang.,Zhongliang Qiao.,Xin Guo.,Geok Ing Ng.,...&Chongyang Liu.(2017).Modal gain characteristics of a 2 μm InGaSb/AlGaAsSb passively mode-locked quantum well laser.APPLIED PHYSICS LETTERS,111(25),251105. |
| MLA | Xiang Li,et al."Modal gain characteristics of a 2 μm InGaSb/AlGaAsSb passively mode-locked quantum well laser".APPLIED PHYSICS LETTERS 111.25(2017):251105. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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