Strong ferromagnetic proximity polarization in ferromagnetic metal MnGa/n-type GaAs quantum well junction
文献类型:期刊论文
作者 | Xiaochen Ji; Chao Shen; Yuanjun Wu; Jun Lu; Jianhua Zhao; Houzhi Zheng |
刊名 | J. Phys. D: Appl. Phys. |
出版日期 | 2017 |
卷号 | 50页码:445306 (7pp) |
学科主题 | 半导体物理 |
公开日期 | 2018-07-02 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28680] |
专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Xiaochen Ji,Chao Shen,Yuanjun Wu,et al. Strong ferromagnetic proximity polarization in ferromagnetic metal MnGa/n-type GaAs quantum well junction[J]. J. Phys. D: Appl. Phys.,2017,50:445306 (7pp). |
APA | Xiaochen Ji,Chao Shen,Yuanjun Wu,Jun Lu,Jianhua Zhao,&Houzhi Zheng.(2017).Strong ferromagnetic proximity polarization in ferromagnetic metal MnGa/n-type GaAs quantum well junction.J. Phys. D: Appl. Phys.,50,445306 (7pp). |
MLA | Xiaochen Ji,et al."Strong ferromagnetic proximity polarization in ferromagnetic metal MnGa/n-type GaAs quantum well junction".J. Phys. D: Appl. Phys. 50(2017):445306 (7pp). |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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