L10-MnGa based magnetic tunnel junction for high magnetic field sensor
文献类型：期刊论文
| 作者 | X P Zhao; J Lu; S W Mao; Z F Yu; H L Wang; X L Wang; D H Wei; J H Zhao1 |
| 刊名 | Journal of Physics D: Applied Physics
 |
| 出版日期 | 2017 |
| 卷号 | 50页码:285002 (6pp) |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 公开日期 | 2018-07-02 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28654]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | X P Zhao,J Lu,S W Mao,et al. L10-MnGa based magnetic tunnel junction for high magnetic field sensor[J]. Journal of Physics D: Applied Physics,2017,50:285002 (6pp). |
| APA | X P Zhao.,J Lu.,S W Mao.,Z F Yu.,H L Wang.,...&J H Zhao1.(2017).L10-MnGa based magnetic tunnel junction for high magnetic field sensor.Journal of Physics D: Applied Physics,50,285002 (6pp). |
| MLA | X P Zhao,et al."L10-MnGa based magnetic tunnel junction for high magnetic field sensor".Journal of Physics D: Applied Physics 50(2017):285002 (6pp). |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。