GaAsSb/InAs core-shell nanowires grown by molecular-beam epitaxy
文献类型：期刊论文
| 作者 | Lixia Li; Dong Pan; Hyok So; Xiaolei Wang; Zhifeng Yu; Jianhua Zhao |
| 刊名 | Journal of Alloys and Compounds
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| 出版日期 | 2017 |
| 卷号 | 724页码:659-665 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 公开日期 | 2018-07-02 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28657]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Lixia Li,Dong Pan,Hyok So,et al. GaAsSb/InAs core-shell nanowires grown by molecular-beam epitaxy[J]. Journal of Alloys and Compounds,2017,724:659-665. |
| APA | Lixia Li,Dong Pan,Hyok So,Xiaolei Wang,Zhifeng Yu,&Jianhua Zhao.(2017).GaAsSb/InAs core-shell nanowires grown by molecular-beam epitaxy.Journal of Alloys and Compounds,724,659-665. |
| MLA | Lixia Li,et al."GaAsSb/InAs core-shell nanowires grown by molecular-beam epitaxy".Journal of Alloys and Compounds 724(2017):659-665. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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