Anomalous Hall effect in MnAl/W bilayers: Modification from strong spin Hall effect of W
文献类型:期刊论文
作者 | K.K. Meng; J. Miao; X.G. Xu; Y. Wu; J.H. Zhao; Y. Jiang |
刊名 | Solid State Communications
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出版日期 | 2017 |
卷号 | 255-256页码:15–19 |
学科主题 | 半导体物理 |
公开日期 | 2018-07-02 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28677] ![]() |
专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | K.K. Meng,J. Miao,X.G. Xu,et al. Anomalous Hall effect in MnAl/W bilayers: Modification from strong spin Hall effect of W[J]. Solid State Communications,2017,255-256:15–19. |
APA | K.K. Meng,J. Miao,X.G. Xu,Y. Wu,J.H. Zhao,&Y. Jiang.(2017).Anomalous Hall effect in MnAl/W bilayers: Modification from strong spin Hall effect of W.Solid State Communications,255-256,15–19. |
MLA | K.K. Meng,et al."Anomalous Hall effect in MnAl/W bilayers: Modification from strong spin Hall effect of W".Solid State Communications 255-256(2017):15–19. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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