InGaN量子阱及薄膜材料特性研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 刘炜 |
| 答辩日期 | 2018-06-04 |
| 文献子类 | 博士后 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 谭平恒 ; 赵德刚 |
| 关键词 | Ingan 量子阱 薄膜 极化效应 局域态 本底载流子浓度 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 学科主题 | 半导体物理 ; 半导体材料 ; 半导体器件 ; 光电子学 |
| 公开日期 | 2018-06-20 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28647]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘炜. InGaN量子阱及薄膜材料特性研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2018. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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