48 GHz High-Performance Ge-on-SOI Photodetector With Zero-Bias 40 Gbps Grown by Selective Epitaxial Growth
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhi Liu; Fan Yang; Wenzhou Wu; Hui Cong; Jun Zheng; Chuanbo Li; Chunlai Xue; Member,IEEE; Buwen Cheng; Qiming Wang |
| 刊名 | JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY
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| 出版日期 | 2017 |
| 卷号 | 35期号:24页码:5306-5310 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 公开日期 | 2018-07-02 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28694]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhi Liu,Fan Yang,Wenzhou Wu,et al. 48 GHz High-Performance Ge-on-SOI Photodetector With Zero-Bias 40 Gbps Grown by Selective Epitaxial Growth[J]. JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY,2017,35(24):5306-5310. |
| APA | Zhi Liu.,Fan Yang.,Wenzhou Wu.,Hui Cong.,Jun Zheng.,...&Qiming Wang.(2017).48 GHz High-Performance Ge-on-SOI Photodetector With Zero-Bias 40 Gbps Grown by Selective Epitaxial Growth.JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY,35(24),5306-5310. |
| MLA | Zhi Liu,et al."48 GHz High-Performance Ge-on-SOI Photodetector With Zero-Bias 40 Gbps Grown by Selective Epitaxial Growth".JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY 35.24(2017):5306-5310. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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