Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN
文献类型：期刊论文
| 作者 | S.T. Liu; J. Yang; D.G. Zhao; D.S. Jiang; F. Liang; P. Chen; J.J. Zhu; Z.S. Liu; X. Li; W. Liu |
| 刊名 | Superlattices and Microstructures
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| 出版日期 | 2017 |
| 卷号 | 104期号:2017页码:63-68 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 公开日期 | 2018-07-11 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28768]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | S.T. Liu,J. Yang,D.G. Zhao,et al. Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN[J]. Superlattices and Microstructures,2017,104(2017):63-68. |
| APA | S.T. Liu.,J. Yang.,D.G. Zhao.,D.S. Jiang.,F. Liang.,...&M. Li.(2017).Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN.Superlattices and Microstructures,104(2017),63-68. |
| MLA | S.T. Liu,et al."Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN".Superlattices and Microstructures 104.2017(2017):63-68. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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