高场不对称波形离子迁移管及其制作方法
文献类型：专利
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| 作者 | 林丙涛 陈池来 孔德义 梅涛 李庄 郭攀 殷世平 程玉鹏 朱荣华 赵聪 王电令 王焕钦 |
| 发表日期 | 2010 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | 公开号 CN 101800150 A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院 |
| 申请日期 | 2010 |
| 专利申请号 | 201010135135.0 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/21384]  |
| 专题 | 合肥物质科学研究院_中科院合肥智能机械研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院合肥物质科学研究院智能所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林丙涛 陈池来 孔德义 梅涛 李庄 郭攀 殷世平 程玉鹏 朱荣华 赵聪 王电令 王焕钦. 高场不对称波形离子迁移管及其制作方法, 高场不对称波形离子迁移管及其制作方法, 高场不对称波形离子迁移管及其制作方法, 高场不对称波形离子迁移管及其制作方法, 高场不对称波形离子迁移管及其制作方法, 高场不对称波形离子迁移管及其制作方法, 高场不对称波形离子迁移管及其制作方法, 高场不对称波形离子迁移管及其制作方法, 高场不对称波形离子迁移管及其制作方法, 高场不对称波形离子迁移管及其制作方法, 高场不对称波形离子迁移管及其制作方法, 高场不对称波形离子迁移管及其制作方法, 高场不对称波形离子迁移管及其制作方法, 高场不对称波形离子迁移管及其制作方法, 高场不对称波形离子迁移管及其制作方法, 高场不对称波形离子迁移管及其制作方法. 公开号 CN 101800150 A. 2010-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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