一种基于MEMS工艺的平板线型离子阱质量分析器及其制作方法
文献类型：专利
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| 作者 | 程玉鹏 陈池来 孔德义 李庄 刘英 殷世平 赵贵 赵聪 孙文娟 钱玉洁 王电令 刘友江 陈然 段秀华 |
| 发表日期 | 2011 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN 102163531A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院 |
| 申请日期 | 2011 |
| 专利申请号 | 201110056731.4 |
| 源URL | [http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/21387]  |
| 专题 | 合肥物质科学研究院_中科院合肥智能机械研究所 |
| 作者单位 | 中国科学院合肥物质科学研究院智能所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程玉鹏 陈池来 孔德义 李庄 刘英 殷世平 赵贵 赵聪 孙文娟 钱玉洁 王电令 刘友江 陈然 段秀华. 一种基于MEMS工艺的平板线型离子阱质量分析器及其制作方法, 一种基于MEMS工艺的平板线型离子阱质量分析器及其制作方法, 一种基于MEMS工艺的平板线型离子阱质量分析器及其制作方法, 一种基于MEMS工艺的平板线型离子阱质量分析器及其制作方法, 一种基于MEMS工艺的平板线型离子阱质量分析器及其制作方法, 一种基于MEMS工艺的平板线型离子阱质量分析器及其制作方法, 一种基于MEMS工艺的平板线型离子阱质量分析器及其制作方法, 一种基于MEMS工艺的平板线型离子阱质量分析器及其制作方法, 一种基于MEMS工艺的平板线型离子阱质量分析器及其制作方法, 一种基于MEMS工艺的平板线型离子阱质量分析器及其制作方法, 一种基于MEMS工艺的平板线型离子阱质量分析器及其制作方法, 一种基于MEMS工艺的平板线型离子阱质量分析器及其制作方法, 一种基于MEMS工艺的平板线型离子阱质量分析器及其制作方法, 一种基于MEMS工艺的平板线型离子阱质量分析器及其制作方法, 一种基于MEMS工艺的平板线型离子阱质量分析器及其制作方法, 一种基于MEMS工艺的平板线型离子阱质量分析器及其制作方法. CN 102163531A. 2011-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：合肥物质科学研究院
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