等离子体聚合膜的电学性质研究——Ⅰ.TCNQ聚合膜的结构和电学性质
文献类型：期刊论文
| 作者 | 俞青松 ; 陈捷 ; 王佛松 ; 长田义仁 |
| 刊名 | 应用化学
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| 出版日期 | 1991 |
| 卷号 | 8期号:2页码:42-46 |
| 关键词 | 四氰代对二次甲基苯醌 等离子体聚合 半导体薄膜 整流性质 光生伏打效应 光电导性质 |
| ISSN号 | 1000-0518 |
| 通讯作者 | 俞青松 |
| 中文摘要 | 本文采用内部电极、电容耦合式钟罩型射频等离子体聚合装置,首次进行了四氰代对二次甲基苯醌(TCNQ)的等离子体聚合,得到了电导率为10~(-8)～10~(-6)Scm~(-1)的聚合物半导体薄膜。由这些聚合物薄膜制备的Al/聚合膜/ITO(铟锡氧化物透明电极)夹层元件显示出整流特性和光生伏打效应。这种聚合物薄膜还具有光电导性质。红外光谱(IR)、紫外光谱(UV)的研究结果表明,优良的半导体特性归因于聚合膜中存在有较大范围的π电子共轭结构。 |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-03-03 ; 2011-06-10 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/38833]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 俞青松,陈捷,王佛松,等. 等离子体聚合膜的电学性质研究——Ⅰ.TCNQ聚合膜的结构和电学性质[J]. 应用化学,1991,8(2):42-46. |
| APA | 俞青松,陈捷,王佛松,&长田义仁.(1991).等离子体聚合膜的电学性质研究——Ⅰ.TCNQ聚合膜的结构和电学性质.应用化学,8(2),42-46. |
| MLA | 俞青松,et al."等离子体聚合膜的电学性质研究——Ⅰ.TCNQ聚合膜的结构和电学性质".应用化学 8.2(1991):42-46. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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