等离子体聚合膜的电学性质研究——Ⅱ.腈类单体结构的影响
文献类型:期刊论文
作者 | 俞青松 ; 陈捷 ; 王佛松 ; 长田义仁 |
刊名 | 应用化学
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出版日期 | 1991 |
卷号 | 8期号:3页码:93-95 |
关键词 | 腈类化合物 等离子体聚合 半导体薄膜 整流性质 光生伏打效应 |
ISSN号 | 1000-0518 |
通讯作者 | 俞青松 |
中文摘要 | 等离子体聚合膜多为具有高电阻的绝缘体。但是,近年来的研究结果表明,选择合适的单体及采取一些措施,可使等离子体聚合膜从绝缘体至半导体乃至导体的宽范围变化。本文将一些具有不同化学结构的腈类单体进行了等离子体聚合,研究了单体化学结构对所得聚合膜结构及电学性质的影响。聚合方法等同前报。 |
收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2011-03-03 ; 2011-06-10 |
源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/38869] ![]() |
专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 俞青松,陈捷,王佛松,等. 等离子体聚合膜的电学性质研究——Ⅱ.腈类单体结构的影响[J]. 应用化学,1991,8(3):93-95. |
APA | 俞青松,陈捷,王佛松,&长田义仁.(1991).等离子体聚合膜的电学性质研究——Ⅱ.腈类单体结构的影响.应用化学,8(3),93-95. |
MLA | 俞青松,et al."等离子体聚合膜的电学性质研究——Ⅱ.腈类单体结构的影响".应用化学 8.3(1991):93-95. |
入库方式: OAI收割
来源:长春应用化学研究所
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