中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
等离子体聚合膜的电学性质研究——Ⅱ.腈类单体结构的影响

文献类型:期刊论文

作者俞青松 ; 陈捷 ; 王佛松 ; 长田义仁
刊名应用化学
出版日期1991
卷号8期号:3页码:93-95
关键词腈类化合物 等离子体聚合 半导体薄膜 整流性质 光生伏打效应
ISSN号1000-0518
通讯作者俞青松
中文摘要等离子体聚合膜多为具有高电阻的绝缘体。但是,近年来的研究结果表明,选择合适的单体及采取一些措施,可使等离子体聚合膜从绝缘体至半导体乃至导体的宽范围变化。本文将一些具有不同化学结构的腈类单体进行了等离子体聚合,研究了单体化学结构对所得聚合膜结构及电学性质的影响。聚合方法等同前报。
收录类别CSCD收录国内期刊论文
语种中文
公开日期2011-03-03 ; 2011-06-10
源URL[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/38869]  
专题长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
俞青松,陈捷,王佛松,等. 等离子体聚合膜的电学性质研究——Ⅱ.腈类单体结构的影响[J]. 应用化学,1991,8(3):93-95.
APA 俞青松,陈捷,王佛松,&长田义仁.(1991).等离子体聚合膜的电学性质研究——Ⅱ.腈类单体结构的影响.应用化学,8(3),93-95.
MLA 俞青松,et al."等离子体聚合膜的电学性质研究——Ⅱ.腈类单体结构的影响".应用化学 8.3(1991):93-95.

入库方式: OAI收割

来源:长春应用化学研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。