电沉积多晶CuInSe_2薄膜的光电化学——Ⅰ.CuInSe_2薄膜的电沉积
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王江山 ; 谭正 ; 糜天英 ; 孙公权 |
| 刊名 | 中国科学B辑
 |
| 出版日期 | 1991 |
| 期号 | 6页码:583-589 |
| 关键词 | 光电化学电池 电沉积 多晶薄膜 |
| ISSN号 | 1006-9240 |
| 通讯作者 | 谭正 |
| 中文摘要 | 研究了含Cu~(2+),In~(3+),HSeO_2~+等离子的酸性电解液中CuInSe_2的电沉积过程.对电沉积条件进行了优化选择,对电沉积机理进行了探讨.对钛基底上的沉积膜的物性和结构分析表明,沉积膜的结晶性良好,颗粒均匀而连续,为多晶黄铜矿型结构.在多硫氧化还原电对液中,用这种沉积膜制成的光电化学电池具有明显的光响应. |
| 收录类别 | CSCD收录国内期刊论文 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2011-03-03 ; 2011-06-10 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/38959]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王江山,谭正,糜天英,等. 电沉积多晶CuInSe_2薄膜的光电化学——Ⅰ.CuInSe_2薄膜的电沉积[J]. 中国科学B辑,1991(6):583-589. |
| APA | 王江山,谭正,糜天英,&孙公权.(1991).电沉积多晶CuInSe_2薄膜的光电化学——Ⅰ.CuInSe_2薄膜的电沉积.中国科学B辑(6),583-589. |
| MLA | 王江山,et al."电沉积多晶CuInSe_2薄膜的光电化学——Ⅰ.CuInSe_2薄膜的电沉积".中国科学B辑 .6(1991):583-589. |
入库方式： OAI收割
来源：长春应用化学研究所
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