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多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe的电沉积及Hg_(0.09)Cd_(0.91)Te薄膜的光电化学行为

文献类型:期刊论文

作者李军 ; 谭正 ; 糜天英
刊名中国科学(B辑 化学 生命科学 地学)
出版日期1990
期号3页码:239-245
关键词汞镉碲 光电化学电池 多晶薄膜 电沉积
ISSN号1006-9240
通讯作者谭正
中文摘要本文研究了在酸性CdSO_4+HTeO_2~+6HgCl_2 电解液中多晶富镉Hg_(1-x),Cd_(?),Te(x>0.5)的电沉积过程,实现了三种离子在同一电位下共沉积的技术。对在钛基底上沉积出的薄膜进行XRD,SEM和EDAX分析,结果表明薄膜为闪锌矿型的多晶结构,分布均匀连续。考察了(1—x)=0.09时多晶薄膜在多硫氧化还原电对液中的光电化学行为,光强为100mW/cm~2时,短路光电流I_(sc)=1.88mA/cm~2,开路光电压V_(oc)=0.25V,填充因子F·F=0.22。由光电化学光谱所确定出的禁带宽度E_g=1.26eV,Mott-schottky曲线给出了电极的平带电位φfb为—1.26V(vs.SCE),从而得到开路光电压V_(oc)可能达到的最大值为0.49V。因此,多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜是一种很有潜力的光活性电极材料。
收录类别CSCD收录国内期刊论文
语种中文
公开日期2011-03-03 ; 2011-06-10
源URL[http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/40061]  
专题长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
李军,谭正,糜天英. 多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe的电沉积及Hg_(0.09)Cd_(0.91)Te薄膜的光电化学行为[J]. 中国科学(B辑 化学 生命科学 地学),1990(3):239-245.
APA 李军,谭正,&糜天英.(1990).多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe的电沉积及Hg_(0.09)Cd_(0.91)Te薄膜的光电化学行为.中国科学(B辑 化学 生命科学 地学)(3),239-245.
MLA 李军,et al."多晶富镉Hg_(1-x)Cd_xTe的电沉积及Hg_(0.09)Cd_(0.91)Te薄膜的光电化学行为".中国科学(B辑 化学 生命科学 地学) .3(1990):239-245.

入库方式: OAI收割

来源:长春应用化学研究所

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