采用纳米银焊膏烧结互连技术的中高压IGBT模块及其性能表征
文献类型：期刊论文
| 作者 | 梅云辉1,2; 冯晶晶1; 王晓敏1; 陆国权1; 张朋3; 林仲康3 |
| 刊名 | 高电压技术
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| 出版日期 | 2017-10-13 |
| 期号 | 10页码:3307-3312 |
| ISSN号 | 1003-6520 |
| 产权排序 | 2 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/29467]  |
| 专题 | 西安光学精密机械研究所_瞬态光学技术国家重点实验室 |
| 作者单位 | 1.天津大学材料科学与工程学院 2.中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室 3.全球能源互联网研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梅云辉,冯晶晶,王晓敏,等. 采用纳米银焊膏烧结互连技术的中高压IGBT模块及其性能表征[J]. 高电压技术,2017(10):3307-3312. |
| APA | 梅云辉,冯晶晶,王晓敏,陆国权,张朋,&林仲康.(2017).采用纳米银焊膏烧结互连技术的中高压IGBT模块及其性能表征.高电压技术(10),3307-3312. |
| MLA | 梅云辉,et al."采用纳米银焊膏烧结互连技术的中高压IGBT模块及其性能表征".高电压技术 .10(2017):3307-3312. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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