基于光源近场模型的LED光学扩展量测量方法
文献类型：期刊论文
| 作者 | 桂立; 尹韶云 ; 蔡文涛; 孙秀辉; 杜春雷; 丁学专
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| 刊名 | 光子学报
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| 出版日期 | 2017 |
| 卷号 | 46期号:1页码:0112004-1-0112004-6 |
| 英文摘要 | 基于精确的LED光源近场模型,提出了一种LED光学扩展量测量方法.通过追迹LED近场光源模型中的光线数据,可获得LED光功率关于光学扩展量的关系曲线,直观反映出LED光源的光学扩展量特性和光能利用率等信息.以紫外曝光系统中的UV-LED阵列面光源为例,对三款不同型号的UV-LED进行了实际测量.通过测量得到的光学扩展量和光能利用率曲线,可以对UV-LED的光束质量作出判断,并为阵列面光源的优化设计提供帮助. |
| 语种 | 中文 |
| CSCD记录号 | CSCD:5916200 |
| 源URL | [http://119.78.100.138/handle/2HOD01W0/4903]  |
| 专题 | 集成光电技术研究中心 微纳制造与系统集成研究中心 |
| 作者单位 | (1)中国科学院重庆绿色智能技术研究院;(2) 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 桂立,尹韶云,蔡文涛,等. 基于光源近场模型的LED光学扩展量测量方法[J]. 光子学报,2017,46(1):0112004-1-0112004-6. |
| APA | 桂立,尹韶云,蔡文涛,孙秀辉,杜春雷,&丁学专.(2017).基于光源近场模型的LED光学扩展量测量方法.光子学报,46(1),0112004-1-0112004-6. |
| MLA | 桂立,et al."基于光源近场模型的LED光学扩展量测量方法".光子学报 46.1(2017):0112004-1-0112004-6. |
入库方式： OAI收割
来源：重庆绿色智能技术研究院
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