本发明公开了一种在泡沫镍上生长石墨烯花簇阵列的方法，将泡沫镍放置于等离子体化学气相沉积装置中，真空度控制在10‑30毫巴，通入工作气体载入碳源至等离子体发生区域，0.1‑1小时内，泡沫镍上生长出石墨烯花簇阵列，所述工作气体选自氢气，氩气或氦气中的一种或多种。此种方法可直接利用在泡沫镍基底上制备石墨烯花簇阵列，从而得到大比表面积的石墨烯包覆的泡沫镍电极，该结构大大提高了石墨烯的表面负载，为实现真正意义上的碳包覆多孔电极提供了一个简洁的方法。