一种基于双层金属线栅结构的太赫兹偏振片
文献类型:专利
作者 | 王德强![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2017-07-04 |
专利号 | 2015106461415 |
著作权人 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种基于双层金属线栅结构的太赫兹偏振片,包括硅基底1,硅基底上下表面的氮化硅层2,将所述氮化硅层2加工成在同一平面相互平行呈周期性排列的凸起3,在凸起3之间的硅基底上加工形成相互平行的凹槽4,在凸起3表面和凹槽4内部底面生成有线栅结构的金属薄膜5。本发明公开的偏振片横磁场波具有较高的透过率,消光比非常高,由于是双面对称结构,使用时没有方向区别,另外,本发明制作时上下刻蚀的凹槽无需对齐,只需上下平行,因此本发明还具有加工工艺简单,加工周期较短等优点。 |
分类号 | G02b5/30(2006.01)i |
申请日期 | 2015-10-08 |
语种 | 中文 |
状态 | 已授权 |
源URL | [http://119.78.100.138/handle/2HOD01W0/5386] ![]() |
专题 | 精准医疗单分子诊断技术研究中心 微纳制造与系统集成研究中心 太赫兹技术研究中心 |
作者单位 | (1)中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王德强,卢斌,申钧,等. 一种基于双层金属线栅结构的太赫兹偏振片. 2015106461415. 2017-07-04. |
入库方式: OAI收割
来源:重庆绿色智能技术研究院
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