一种制备半导体氧化锌纳米材料的方法
文献类型：专利
| 作者 | 李昕 ; 冯双龙; 陆文强; 刘双翼; 何培培; 李奇昆; 李振湖; 王亮; 石彪
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| 发表日期 | 2017-05-17 |
| 专利号 | 2015104923072 |
| 著作权人 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种制备半导体氧化锌纳米材料的方法，应用于纳米线制备技术领域，所述方法利用高温化学气相沉积方法，创新性采用纳米金刚石颗粒和氧化锌粉末混合物作为反应物，从而在基底上生长出氧化锌纳米线的方法，生长速度大幅提升，而且将反应温度降低至600℃，对比于传统利用石墨粉末和氧化锌纳米粉末的方法，本发明利用纳米金刚石颗粒表面积大，化学活性高的独特性质，达到了纳米线制备速度快，节能降耗的目的。 |
| 分类号 | C01g9/02(2006.01)i ; b82y30/00(2011.01)i ; b82y40/00(2011.01)i |
| 申请日期 | 2015-08-12 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 已授权 |
| 源URL | [http://119.78.100.138/handle/2HOD01W0/5402]  |
| 专题 | 微纳制造与系统集成研究中心 精准医疗单分子诊断技术研究中心 |
| 作者单位 | (1)中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李昕,冯双龙,陆文强,等. 一种制备半导体氧化锌纳米材料的方法. 2015104923072. 2017-05-17. |
入库方式： OAI收割
来源：重庆绿色智能技术研究院
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