一种常压化学气相沉积石墨烯薄膜的制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 高翾 ; 黄德萍; 李占成; 张永娜; 朱鹏; 姜浩; 史浩飞; 杜春雷
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| 发表日期 | 2016-10-19 |
| 专利号 | 2014107669276 |
| 著作权人 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 ; 重庆墨希科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明涉及石墨烯制备技术领域的一种常压化学气相沉积石墨烯薄膜的制备方法，尤其涉及一种晶畴可控的常压化学气相沉积石墨烯薄膜的分步制备方法。包括以下步骤：1)清洗金属基底铜箔；2)金属基底铜箔进行退火处理；3)在退火处理后的铜箔上进行石墨烯成核形成石墨烯晶畴；4)再将石墨烯成核后的铜箔进行惰化；5)将惰化后的铜箔回炉进行生长，石墨烯晶畴生长成石墨烯薄膜；6)冷却石墨烯薄膜，完成石墨烯薄膜的制备。本发明的有益效果是：步骤简单、操作方便，通过调节石墨烯在成核阶段的气体碳源流量控制石墨烯晶畴的密度、大小和层数，控制简单方便，形成高质量的石墨烯薄膜。 |
| 分类号 | C23C16/453(2006.01)I; C23C16/26(2006.01)I |
| 申请日期 | 2014-12-12 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 已授权 |
| 源URL | [http://119.78.100.138/handle/2HOD01W0/5450]  |
| 专题 | 微纳制造与系统集成研究中心 |
| 作者单位 | (1)中国科学院重庆绿色智能技术研究院; (2)重庆墨希科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高翾,黄德萍,李占成,等. 一种常压化学气相沉积石墨烯薄膜的制备方法. 2014107669276. 2016-10-19. |
入库方式： OAI收割
来源：重庆绿色智能技术研究院
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