本发明公开了一种大面积MoS₂薄膜生长方法，采用化学气相沉积法制备大面积MoS₂薄膜，具体步骤如下：1)将三氧化钼和硫粉分别放置在炉子的中心和端头位置，将SiO₂基底a、导热层b、瓷片c依次叠放平放在钼源上方，封闭连接管路；2)在封闭的石英管中通入保护气体5‑10分钟进行排空，打开炉子加热开关，升温至700‑800℃，保温10分钟，关闭加热，冷却至室温，即可获得尺寸范围50‑300微米的MoS₂薄膜。本发明提供的大面积MoS₂薄膜的制备方法，可以大大缩短制备薄膜的反应时间，并且制备出的形貌均匀，所制备的MoS₂薄膜可以应用于光电探测器件、逻辑电路、电子元器件等领域。