中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
一种三维非催化性基底负载石墨烯薄膜结构及其在低温环境下的制备方法

文献类型:专利

作者魏大鹏; 宋雪芬; 杨俊; 于乐泳; 余崇圣; 申钧; 史浩飞; 杜春雷
发表日期2018-10-02
专利号2015107629466
著作权人中国科学院重庆绿色智能技术研究院
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明公开了一种三维非催化性基底负载石墨烯薄膜结构,所述结构包括非催化性基片机体,机体表面上刻蚀的三维结构,以及覆盖在整个表面的石墨烯薄膜。本发明也公开了所述三维非催化性基底负载石墨烯薄膜结构在低温环境下的制备方法。本方法操作简便,制作周期短,制作成本低,可以直接在不同材料,与具有不同表面三维结构的非催化性基片上全表面共形覆盖高质量的连续均匀的石墨烯薄膜。三维非催化性基底负载石墨烯薄膜可以作为表面的透明电极在光电器件、微机电系统(MEMS)等器件上加以应用,也可用于开发新型纳米器件。

分类号C23c16/26(2006.01)i
申请日期2015-11-10
语种中文
状态已授权
源URL[http://119.78.100.138/handle/2HOD01W0/6740]  
专题微纳制造与系统集成研究中心
作者单位中国科学院重庆绿色智能技术研究院
推荐引用方式
GB/T 7714
魏大鹏,宋雪芬,杨俊,等. 一种三维非催化性基底负载石墨烯薄膜结构及其在低温环境下的制备方法. 2015107629466. 2018-10-02.

入库方式: OAI收割

来源:重庆绿色智能技术研究院

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。