一种低温快速生长各种类型图形化三维石墨烯的方法
文献类型：专利
| 作者 | 于乐泳 ; 冯双龙; 胡云; 孙泰; 杨俊; 魏大鹏; 史浩飞; 杜春雷
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| 发表日期 | 2018-10-19 |
| 专利号 | 2016106953749 |
| 著作权人 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种低温快速生长各种类型图形化三维石墨烯的方法，属于电子生产技术和柔性器件制备领域，该方法步骤包括：(1)制作掩模板图形；(2)固定掩模板和生长基底：(3)低温生长三维石墨烯；通过该方法可制备任意形状的三维石墨烯。该方法步骤简单、高效、成本低、环保，且无需进行加热处理，适用于图形化三维石墨烯的产业化生产，同时也可应用于其他二维三维材料的图形化处理。 |
| 分类号 | C01b32/186(2017.01)i |
| 申请日期 | 2016-08-19 |
| 语种 | 中文 |
| 状态 | 已授权 |
| 源URL | [http://119.78.100.138/handle/2HOD01W0/6742]  |
| 专题 | 微纳制造与系统集成研究中心 |
| 作者单位 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于乐泳,冯双龙,胡云,等. 一种低温快速生长各种类型图形化三维石墨烯的方法. 2016106953749. 2018-10-19. |
入库方式： OAI收割
来源：重庆绿色智能技术研究院
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