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一种低温快速生长各种类型图形化三维石墨烯的方法

文献类型:专利

作者于乐泳; 冯双龙; 胡云; 孙泰; 杨俊; 魏大鹏; 史浩飞; 杜春雷
发表日期2018-10-19
专利号2016106953749
著作权人中国科学院重庆绿色智能技术研究院
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明提供了一种低温快速生长各种类型图形化三维石墨烯的方法,属于电子生产技术和柔性器件制备领域,该方法步骤包括:(1)制作掩模板图形;(2)固定掩模板和生长基底:(3)低温生长三维石墨烯;通过该方法可制备任意形状的三维石墨烯。该方法步骤简单、高效、成本低、环保,且无需进行加热处理,适用于图形化三维石墨烯的产业化生产,同时也可应用于其他二维三维材料的图形化处理。

分类号C01b32/186(2017.01)i
申请日期2016-08-19
语种中文
状态已授权
源URL[http://119.78.100.138/handle/2HOD01W0/6742]  
专题微纳制造与系统集成研究中心
作者单位中国科学院重庆绿色智能技术研究院
推荐引用方式
GB/T 7714
于乐泳,冯双龙,胡云,等. 一种低温快速生长各种类型图形化三维石墨烯的方法. 2016106953749. 2018-10-19.

入库方式: OAI收割

来源:重庆绿色智能技术研究院

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