目的：本研究旨在采用事件相关电位技术比较汉语发展性阅读障碍儿童与同年龄对照组儿童在视觉大细胞通路功能上的差异，以及探究汉语儿童的视觉大细胞通路功能与汉语阅读能力间的关系。
方法：共13名汉语发展性阅读障碍儿童(7男，平均年龄11.32±0.86岁)和13名同年龄对照组儿童(9男，平均年龄11.04±0.92岁)参与实验。给被试呈现水平或竖直的光栅，要求被试看到水平光栅时按键反应，看到竖直光栅时不反应。分别有高时间频率条件(5周期/度，30Hz)、低空间频率条件(0.5周期/度，2.5Hz)和小细胞通路条件(5周期/度，30Hz)三种条件的光栅。只记录呈现竖直光栅时的ERP成分。预处理后选择双侧枕颞叶的电极(PO3/4、PO5/6、PO7/8、O1/2)计算P1成分（110~160ms）和N1成分(160~210ms)的峰值波幅和峰值潜伏期。之后，两组被试完成包括汉字阅读流畅性、语音意识、语素意识和快速命名能力在内的阅读能力测验。
结果：P1成分上，阅读障碍儿童的激活强度显著小于同年龄对照组儿童，且所有儿童在低空间频率条件下的峰值波幅高于高时间频率条件和小细胞通路条件，峰值潜伏期也显著短于后面两者，后面二者的峰值波幅与潜伏期无显著差异；N1成分上，阅读障碍儿童的峰值潜伏期显著长于同年龄对照组儿童。相关分析表明，高时间频率条件下的N1成分峰值波幅与汉字阅读流畅性成绩间呈显著的负相关，低空间频率条件下的P1成分峰值波幅与语音意识成绩呈显著的正相关，小细胞通路与各汉语阅读能力测验得分的相关均无统计学意义。
结论：汉语发展性阅读障碍儿童的时间频率敏感性和空间频率敏感性均存在缺陷，且视觉大细胞通路的时间频率敏感性与阅读流畅性关系密切，而空间频率敏感性则与汉语的语音意识关系密切。