Electronic structure evolution of single bilayer Bi(1 1 1) film on 3D topological insulator Bi 2 Se x Te 3− x surfaces
文献类型：期刊论文
| 作者 | Qian HJ(钱海杰) ; Lei T(雷涛); Zhang N(张念); Zhao JL(赵佳丽); Liu C(刘晨); Wang JO(王嘉鸥); Wu R(吴蕊); Kui RX(奎热西)
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| 刊名 | Journal of Physics: Condensed Matter
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| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 28期号:25页码:255501 |
| DOI | 10.1088/0953-8984/28/25/255501 |
| 通讯作者 | 奎热西 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/260442]  |
| 专题 | 高能物理研究所_多学科研究中心 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Qian HJ,Lei T,Zhang N,et al. Electronic structure evolution of single bilayer Bi(1 1 1) film on 3D topological insulator Bi 2 Se x Te 3− x surfaces[J]. Journal of Physics: Condensed Matter,2016,28(25):255501. |
| APA | 钱海杰.,雷涛.,张念.,赵佳丽.,刘晨.,...&奎热西.(2016).Electronic structure evolution of single bilayer Bi(1 1 1) film on 3D topological insulator Bi 2 Se x Te 3− x surfaces.Journal of Physics: Condensed Matter,28(25),255501. |
| MLA | 钱海杰,et al."Electronic structure evolution of single bilayer Bi(1 1 1) film on 3D topological insulator Bi 2 Se x Te 3− x surfaces".Journal of Physics: Condensed Matter 28.25(2016):255501. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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