BESⅢ升级中硅像素径迹室位置校准的MC研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 付婷婷; 伍灵慧 ; 张晋; 王亮亮; 袁野; 张瑶; 李明非; 刘怀民
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| 刊名 | 核电子学与探测技术
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| 出版日期 | 2016 |
| 期号 | 4 |
| 通讯作者 | 伍灵慧 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/261002]  |
| 专题 | 高能物理研究所_实验物理中心 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 付婷婷,伍灵慧,张晋,等. BESⅢ升级中硅像素径迹室位置校准的MC研究[J]. 核电子学与探测技术,2016(4). |
| APA | 付婷婷.,伍灵慧.,张晋.,王亮亮.,袁野.,...&刘怀民.(2016).BESⅢ升级中硅像素径迹室位置校准的MC研究.核电子学与探测技术(4). |
| MLA | 付婷婷,et al."BESⅢ升级中硅像素径迹室位置校准的MC研究".核电子学与探测技术 .4(2016). |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
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