碳化硅与硅探测器辐射探测性能比较
文献类型：期刊论文
| 作者 | 崔兴柱1 ; 王晓华2; 彭文溪1; 乔锐1; 刘雅清1; 郭东亚1; 魏志鹏2; 张凌民1,2
|
| 刊名 | 核电子学与探测技术
 |
| 出版日期 | 2016 |
| 卷号 | 36期号:10页码:1044-1048 |
| 关键词 | SiC Geant4 辐射探测 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/261165]  |
| 专题 | 高能物理研究所_实验物理中心 高能物理研究所_粒子天体物理中心 |
| 作者单位 | 1.中国科学院高能物理研究所核探测与核电子学国家重点实验室 2.长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔兴柱,王晓华,彭文溪,等. 碳化硅与硅探测器辐射探测性能比较[J]. 核电子学与探测技术,2016,36(10):1044-1048. |
| APA | 崔兴柱.,王晓华.,彭文溪.,乔锐.,刘雅清.,...&张凌民.(2016).碳化硅与硅探测器辐射探测性能比较.核电子学与探测技术,36(10),1044-1048. |
| MLA | 崔兴柱,et al."碳化硅与硅探测器辐射探测性能比较".核电子学与探测技术 36.10(2016):1044-1048. |
入库方式： OAI收割
来源：高能物理研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。