质子辐照导致科学级CCD电离和位移损伤及其机理分析
文献类型：会议论文
| 作者 | 文林 ; 李豫东; 郭旗; 任迪远; 汪波; 玛丽娅
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| 出版日期 | 2014 |
| 会议日期 | 2014-08-13 |
| 会议地点 | 中国甘肃兰州 |
| 关键词 | Ccd 质子辐照 电离效应 位移损伤 体缺陷 |
| 英文摘要 | 对某国产埋沟科学级CCD进行了10MeV质子辐照试验研究,试验过程中重点考察了器件的暗信号、电荷转移效率特性的变化。结果表明,器件的主要性能参数随着质子辐照注量的增大明显退化,在退火过程中这些参数均有不同程度的恢复。对CCD敏感参数退化规律及其与器件工艺、结构的相关性进行了分析,并推导了参数退化随质子辐照注量变化的经验公式。上述工作可为深入开展CCD抗辐射性能预测、抗辐射工艺改进与结构优化提供重要参考。 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5348]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 固体辐射物理研究室 |
| 作者单位 | 1.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 2.新疆电子信息材料与器件重点实验室 3.中国科学院新疆理化技术研究所 4.中国科学院大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 文林,李豫东,郭旗,等. 质子辐照导致科学级CCD电离和位移损伤及其机理分析[C]. 见:. 中国甘肃兰州. 2014-08-13. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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