对某国产CMOS图像传感器进行了1MeV、1.8MeV两种不同能量的电子辐照试验,分析了器件的电子辐照效应与损伤机理。辐照等效电离剂量为70krad(Si),在辐照前后及退火过程中采用离线测量方法,重点考察了暗信号、饱和电压、光谱响应特性等参数。实验结果表明:暗信号和暗信号非均匀性都随着辐照剂量的增加及高温退火而增大;饱和电压在两种能量电子辐照下均出现较大幅度的减小,并在高温退火过程中有所恢复;光 谱响应特性无特别明显变化。经分析，暗电流、饱和电压的变化主要由辐照诱发的氧化物陷阱电荷所致的光敏二极管耗尽层展宽和界面陷阱电荷密度增加导致产生-复合中心的增加所引起。