国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS
文献类型：期刊论文
| 作者 | 魏昕宇; 陆妩 ; 李小龙; 王信; 孙静; 于新; 姚帅; 刘默寒; 郭旗
|
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 2018 |
| 卷号 | 43期号:5页码:369-374 |
| 关键词 | 国产pnp型双极晶体管 宽总剂量范围 低剂量率损伤增强效应(Eldrs) 辐射损伤 剂量率 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| DOI | 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.05.008 |
| 英文摘要 | 研究了不同偏置条件下国产商用pnp型双极晶体管在宽总剂量范围内的辐射损伤特性和变化规律。实验结果表明,在100 rad(Si)/s和0.01 rad(Si)/s剂量率辐照下,总累计剂量达到200 krad(Si)时,这一宽总剂量范围内辐射损伤趋势均随着总剂量值不断累积而增大,且并未出现饱和。相同剂量率辐照下,发射结施加反偏状态时国产商用pnp双极晶体管的过剩基极电流变化最大,正偏下最小,零偏介于二者之间。两款晶体管均表现出明显的低剂量率损伤增强效应(ELDRS),且在反偏下ELDRS更显著。并对出现这一实验结果的损伤机理进行了探讨。 |
| CSCD记录号 | CSCD:6231290 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5395]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 1.新疆大学物理科学与技术学院 2.中国科学院新疆理化技术研究所 3.新疆电子信息材料与器件重点实验室 4.中国科学院大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏昕宇,陆妩,李小龙,等. 国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS[J]. 半导体技术,2018,43(5):369-374. |
| APA | 魏昕宇.,陆妩.,李小龙.,王信.,孙静.,...&郭旗.(2018).国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS.半导体技术,43(5),369-374. |
| MLA | 魏昕宇,et al."国产pnp双极晶体管在宽总剂量范围辐照下的ELDRS".半导体技术 43.5(2018):369-374. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。