不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李豫东 ; 文林; 郭旗; 何承发; 周东; 冯婕; 张兴尧; 于新
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| 刊名 | 现代应用物理
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| 出版日期 | 2018 |
| 卷号 | 9期号:2页码:67-70 |
| 关键词 | 质子 电荷耦合器件 辐射效应 注量率 缺陷 |
| ISSN号 | 2095-6223 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/5493]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 固体辐射物理研究室 |
| 作者单位 | 1.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 2.新疆电子信息材料与器件重点实验室 3.中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李豫东,文林,郭旗,等. 不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析[J]. 现代应用物理,2018,9(2):67-70. |
| APA | 李豫东.,文林.,郭旗.,何承发.,周东.,...&于新.(2018).不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析.现代应用物理,9(2),67-70. |
| MLA | 李豫东,et al."不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析".现代应用物理 9.2(2018):67-70. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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