大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李欣; 刘建朋; 陈烁; 张思超; 邓彪; 肖体乔; 孙艳; 陈宜方 |
| 刊名 | 强激光与粒子束
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| 出版日期 | 2017 |
| 期号 | 7页码:"77-81" |
| 关键词 | Hsq 深反应离子刻蚀 硅纳米柱 高宽比 硬x射线 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 英文摘要 | 针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实现了13.3μm高度和低侧壁粗糙度的垂直硅纳米柱阵列,其高宽比(高度/半高宽)达到了36。利用不同的刻蚀工艺条件得到了不同侧壁形貌以及不同尺寸、高度的硅纳米柱结构。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/28224]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2011-2017年 |
| 作者单位 | 1.复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室 2.中国科学院上海应用物理研究所 3.中国科学院上海技术物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李欣,刘建朋,陈烁,等. 大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化[J]. 强激光与粒子束,2017(7):"77-81". |
| APA | 李欣.,刘建朋.,陈烁.,张思超.,邓彪.,...&陈宜方.(2017).大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化.强激光与粒子束(7),"77-81". |
| MLA | 李欣,et al."大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化".强激光与粒子束 .7(2017):"77-81". |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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