780nm波段低填充因子半导体激光器列阵的光束质量研究
文献类型:期刊论文
作者 | 贾鹏![]() ![]() ![]() ![]() |
刊名 | 半导体光电
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出版日期 | 2016-02-15 |
期号 | 1页码:27-29+44 |
关键词 | 半导体激光器列阵 低填充因子 侧向光学参量积 |
英文摘要 | 为了获得高功率高光束质量激光输出,设计并制备了一种780nm波段5发光单元列阵器件,其采用10μm宽窄条形波导,各发光单元中心间距为100μm,填充因子仅为10%。在准连续注入电流由1.2A增加到2.5A条件下,该器件的输出光束侧向光学参量积由0.666mm·mrad增加至0.782mm·mrad。注入电流为2.5A时,该器件实现了单边准连续506mW的高光束质量激光输出。 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/57865] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 贾鹏,陈泳屹,李秀山,等. 780nm波段低填充因子半导体激光器列阵的光束质量研究[J]. 半导体光电,2016(1):27-29+44. |
APA | 贾鹏.,陈泳屹.,李秀山.,张俊.,张建.,...&秦莉.(2016).780nm波段低填充因子半导体激光器列阵的光束质量研究.半导体光电(1),27-29+44. |
MLA | 贾鹏,et al."780nm波段低填充因子半导体激光器列阵的光束质量研究".半导体光电 .1(2016):27-29+44. |
入库方式: OAI收割
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