柱式平板声子晶体点缺陷模式研究
文献类型:期刊论文
作者 | 黄翔宇; 刘永顺![]() ![]() ![]() |
刊名 | 压电与声光
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出版日期 | 2017-04-15 |
页码 | 198-201 |
关键词 | 声子晶体 柱式平板 点缺陷 选择性激励 工艺加工 |
DOI | C7DBEBF65D3B769588AD164BABCAE9FA |
英文摘要 | 柱式平板声子晶体结构有利于实现质量加载和液相检测,该文提出并制备一种柱式平板声子晶体点缺陷。采用有限元法进行禁带计算分析,仿真出该声子晶体点缺陷模式的振型。采用微机电系统(MEMS)工艺制备出硅基AlN声波传感器,通过电极构型的模式选择对选定点缺陷模式的性能进行了测试分析。结果表明,通过合理设计激励电极可获得较高频率声子晶体点缺陷模式。实验中选择激发的模式频率为7.732 MHz,其对应空气中品质因数Q=700,这为实现液相检测提供了理论基础和实验依据。 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/58417] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄翔宇,刘永顺,舒风风,等. 柱式平板声子晶体点缺陷模式研究[J]. 压电与声光,2017:198-201. |
APA | 黄翔宇,刘永顺,舒风风,武俊峰,&吴一辉.(2017).柱式平板声子晶体点缺陷模式研究.压电与声光,198-201. |
MLA | 黄翔宇,et al."柱式平板声子晶体点缺陷模式研究".压电与声光 (2017):198-201. |
入库方式: OAI收割
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