芳香烃中位取代氟硼二吡咯的薄膜放大自发辐射稳定性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吕晨曦; 张镭; 杨杨; 张立功 ; 林杰; 刘星元
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2017-04-15 |
| 页码 | 499-506 |
| 关键词 | 氟硼二吡咯衍生物 放大自发辐射 稳定性 分子结构 |
| DOI | 7228EA06B1100E43629421757DB1F459 |
| 英文摘要 | 对苯基、萘基和蒽基在中位取代的氟硼二吡咯(BODIPY)衍生物薄膜的放大自发辐射(ASE)性能进行了研究,探讨了影响材料ASE稳定性的因素。首先,将3种BODIPY衍生物材料PhBOD、NaBOD和EnBOD掺入聚苯乙烯经溶液旋涂法制备成薄膜,接下来测试了吸收光谱和荧光光谱,然后在光泵浦条件下测量了3种样品的ASE性能,获得了材料的ASE阈值。进一步通过长时间泵浦、环境中长时间放置和高温环境下泵浦等方法研究了材料的光稳定性、ASE环境稳定性和热稳定性。最后使用Gaussian 09计算了分子基态性质。实验结果表明,PhBOD、NaBOD和EnBOD薄膜的初始阈值分别为12.4,4.55,3.4 k W/cm~2,其中PhBOD有较强的ASE稳定性。ASE稳定性差异可能与分子结构的共轭程度和化学稳定性相关。分子中各个基团的共轭程度较大、Mulliken电荷分布对称性较好的材料具有较好的ASE稳定性。 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/58681]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吕晨曦,张镭,杨杨,等. 芳香烃中位取代氟硼二吡咯的薄膜放大自发辐射稳定性研究[J]. 发光学报,2017:499-506. |
| APA | 吕晨曦,张镭,杨杨,张立功,林杰,&刘星元.(2017).芳香烃中位取代氟硼二吡咯的薄膜放大自发辐射稳定性研究.发光学报,499-506. |
| MLA | 吕晨曦,et al."芳香烃中位取代氟硼二吡咯的薄膜放大自发辐射稳定性研究".发光学报 (2017):499-506. |
入库方式： OAI收割
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