g-C_3N_4表面结构的第一性原理研究
文献类型:期刊论文
作者 | 苏巧智; 韩清珍; 高锦花; 温浩; 江兆潭 |
刊名 | 计算机与应用化学
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出版日期 | 2017 |
卷号 | 34期号:04页码:269-274 |
关键词 | G-c_3n_4 原子层数 表面能 电子结构 光学性质 |
英文摘要 | 石墨相氮化碳(g-C_3N_4)由于不含金属组分、化学性质稳定、且具有可见光响应,在光催化领域具有越来越广阔的应用前景。本文基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,对不同原子层数的g-C_3N_4的表面能、电子结构和光学性质等进行了研究。结果表明:g-C_3N_4的表面能随着原子层数的增加而逐渐降低,从6层原子开始表面能小于0,说明当原子层数大于6时,g-C_3N_4形成稳定的层状表面结构;不同层数的g-C_3N_4表面结构均为间接带隙半导体,导带底主要由C的2p态和N的2p态杂化而成,价带顶主要由N的2p态和N的2s态构成。本文研究结果为层状结构的g-C_3N_4催化材料的设计、制备和催化性能研究提供了理论依据和数据基础。 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://ir.ipe.ac.cn/handle/122111/25172] ![]() |
专题 | 中国科学院过程工程研究所 |
作者单位 | 1.北京理工大学物理学院 2.中国科学院过程工程研究所多相复杂系统国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 苏巧智,韩清珍,高锦花,等. g-C_3N_4表面结构的第一性原理研究[J]. 计算机与应用化学,2017,34(04):269-274. |
APA | 苏巧智,韩清珍,高锦花,温浩,&江兆潭.(2017).g-C_3N_4表面结构的第一性原理研究.计算机与应用化学,34(04),269-274. |
MLA | 苏巧智,et al."g-C_3N_4表面结构的第一性原理研究".计算机与应用化学 34.04(2017):269-274. |
入库方式: OAI收割
来源:过程工程研究所
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