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g-C_3N_4表面结构的第一性原理研究

文献类型:期刊论文

作者苏巧智; 韩清珍; 高锦花; 温浩; 江兆潭
刊名计算机与应用化学
出版日期2017
卷号34期号:04页码:269-274
关键词G-c_3n_4 原子层数 表面能 电子结构 光学性质
英文摘要

石墨相氮化碳(g-C_3N_4)由于不含金属组分、化学性质稳定、且具有可见光响应,在光催化领域具有越来越广阔的应用前景。本文基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法,对不同原子层数的g-C_3N_4的表面能、电子结构和光学性质等进行了研究。结果表明:g-C_3N_4的表面能随着原子层数的增加而逐渐降低,从6层原子开始表面能小于0,说明当原子层数大于6时,g-C_3N_4形成稳定的层状表面结构;不同层数的g-C_3N_4表面结构均为间接带隙半导体,导带底主要由C的2p态和N的2p态杂化而成,价带顶主要由N的2p态和N的2s态构成。本文研究结果为层状结构的g-C_3N_4催化材料的设计、制备和催化性能研究提供了理论依据和数据基础。

语种中文
源URL[http://ir.ipe.ac.cn/handle/122111/25172]  
专题中国科学院过程工程研究所
作者单位1.北京理工大学物理学院
2.中国科学院过程工程研究所多相复杂系统国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
苏巧智,韩清珍,高锦花,等. g-C_3N_4表面结构的第一性原理研究[J]. 计算机与应用化学,2017,34(04):269-274.
APA 苏巧智,韩清珍,高锦花,温浩,&江兆潭.(2017).g-C_3N_4表面结构的第一性原理研究.计算机与应用化学,34(04),269-274.
MLA 苏巧智,et al."g-C_3N_4表面结构的第一性原理研究".计算机与应用化学 34.04(2017):269-274.

入库方式: OAI收割

来源:过程工程研究所

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