基于紫外电子轰击有源像素传感器的紫外成像仪
文献类型:专利
作者 | 杨阳; 曹伟伟; 王博![]() ![]() ![]() ![]() |
发表日期 | 2018-11-27 |
专利号 | CN201820702525.3 |
著作权人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 实用新型 |
产权排序 | 1 |
其他题名 | 基于紫外电子轰击有源像素传感器的紫外成像仪 |
英文摘要 | 本实用新型涉及一种基于紫外电子轰击有源像素传感器的紫外成像仪,解决了现有紫外成像仪灵敏度低、噪声大、成本高、结构复杂、体积重量较大等问题。该紫外成像仪包括光机系统、紫外电子轰击有源像素传感器、高压选通脉冲模块、读出电子学系统、图像处理与控制系统;光机系统包括成像镜头和滤波片;高压选通脉冲模块分别与紫外电子轰击有源像素传感器、图像处理与控制系统连接;读出电子学系统分别与紫外电子轰击有源像素传感器、图像处理与控制系统连接;紫外电子轰击有源像素传感器包括阴极窗口、紫外光电阴极、管壳和背照式CMOS芯片;紫外光电阴极设置在阴极窗口的内表面;背照式CMOS芯片设置在管壳内部。 |
公开日期 | 2018-11-27 |
申请日期 | 2018-05-11 |
语种 | 中文 |
状态 | 已授权 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/30926] ![]() |
专题 | 其它单位_其它部门 |
作者单位 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨阳,曹伟伟,王博,等. 基于紫外电子轰击有源像素传感器的紫外成像仪. CN201820702525.3. 2018-11-27. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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